【經濟日報╱記者曹正芬／即時報導】 2010.01.13 10:19 pm
德州儀器（TI）宣佈針對高電流DC/DC應用推出業界第一個透過封裝頂部散熱的標準尺寸功率MOSFET產品系列。DualCool NexFET功率MOSFET有助於縮小終端設備的尺寸，同時還可將通過MOSFET的電流提高50%，並且比其他標準尺寸封裝提供了更好的散熱管理。
該系列包含五款NexFET裝置，可協助電腦運算與電信系統的設計人員使用更高電流的處理器，在顯著節省電路板空間的同時配備容量更大的記憶體。這些採用先進封裝的MOSFET可用於桌上型電腦、伺服器、電信或網路設備、基地台以及高電流工業系統等廣泛的終端應用中。
TI資深副總裁暨全球電源管理部門經理Steve Anderson指出，為了滿足各種基礎設備市場對處理功率的更高要求，客戶要求以更小的封裝實現具有更高電流的DC/DC電源。DualCool NexFET功率MOSFET在不改變尺寸的同時能處理更多電流，可充分滿足客戶需求。