2010-01-05 新聞速報 【時報記者沈培華台北報導】
力晶(5346)與日商爾必達轉投資的瑞晶電子將在台設立技術研發中心，瑞晶與爾必達合作開發40奈米製程，預計投資約3.8億美元(約新台幣120億元)，今年底瑞晶將完成轉換，月產能8萬片全數生產2Gb DDR2，預計成本較目前的65奈米降低一半。
瑞晶電子總經理陳正坤表示，瑞晶將成為台灣研發電腦泛用型DRAM的主要中心，使台灣擁有自主DRAM製程技術的目標向前邁進一大步。
陳正坤表示，目前瑞晶以65奈米微縮製程為主，占產能約七成，與其他同業的50奈米製程相同，使得瑞晶技術依然能擁有相當的技術優勢，且切入更先進的40奈米製程，能以最節省的成本，預定資本支出100~120億元，相較同業的成本約僅三分之一。
至於120億資金來源，有一半由瑞晶營運產生的現金支應，一半擬向銀行貸款為主。
陳正坤指出，今年瑞晶將全數導入40奈米製程，成本比目前降低五成，往後藉由此研發中心設立，與爾必達同步更新製程技術，去年第四季隨著報價上揚，瑞晶第四季獲利非常好。
爾必達技術長五味秀樹表示，爾必達的廣島廠已於2009年底完成40奈米6F2製程的試產，良率優異，預計13萬片12吋晶圓月產能於今年先導入一半。爾必達並表示，先進製程也將視情況提供給製造夥伴力晶(5346)、華邦電(2344)與茂德(5387)。