2010-01-04 新聞速報 【時報記者莊丙農台北報導】
DisplaySearch太陽能研究小組指出，2009年太陽能產業具有非常高的循環性變化，觀察14個主要的太陽能電池元件和模組製造商的利潤率表現，2006年第一季到2008年第四季的平均獲利可達15%，但2009年第一季則急劇下降到-10%，一直到2009年第二季尚呈現虧損。
在2009年上半年，生產能力過剩和整個供應鏈的供過於求，造成太陽能發電系統的平均價格降幅達25%以上。然而低價格的刺激，較為容易的融資環境以及加上各個國家及區域新的獎勵政策推出，讓主要的廠商在2009年第三季順利轉虧為盈。而隨著需求增加和成本越來越低，太陽能產業2010年可期。DisplaySearch太陽能研究小組認為，至少在2010年上半太陽能產業可以逐步邁向平均獲利率20%。至於在2010年之後，激勵與補貼政策將決定下一個週期循環。
DisplaySearch太陽能研究小組表示，獎勵政策主要在於通過提高安裝太陽能系統的經濟價值的方法而增加需求。但另一方面，在許多消費者擔心獎勵政策會改變的情形之下，也有許多需求是在補貼政策改變或取消之前提前發酵。而德國新政府將進一步降低再生能源回購費率(FIT)，將是一個需求再持續增長的重要指標。整體而言，在德國，意大利，日本，美國，法國，中國及其他地區的獎勵措施的變化或更新，將會讓2010年全球太陽能需求成長40%以上。
太陽能電池製造商把重點放在降低成本以維持一定獲利率的同時，也將持續推動電價往太陽發電成本與傳統發電成本相當的方向進行。主要降低成本的方法包括使用較少的矽，或使用較便宜的矽。多晶矽是主要用於製造結晶矽（c-Si）太陽能電池的晶圓材料。而其占到整體太陽能模組成本的15%到20%。由於大量多晶矽新產能的開出以及過去這一年的需求減少，矽晶的價格自2008年下半年起因供過於求而大幅下跌，目前雖然跌勢已經趨緩，但預計2010年仍為供過於求的狀況，因此價格將持續下降。
除了提升傳統的多晶矽生產效率之外，新的精煉技術如FBR (流體床反應器) 以及UMG(Upgraded Metallurgical Grade)等級的多晶矽將可以進ㄧ步提供低成本的多重選擇。不過，由於多晶矽的價格下滑極快，目前業界對於這些新技術的興趣有些微減退，但這些新的多晶矽生產技術依舊在未來可以發揮成本減低的作用。
此外，採用更薄的晶圓可以消耗較少的多晶矽而降低太陽能模組的總成本。目前太陽能電池製造商已經從2000年的300微米晶圓前進到目前的150微米晶圓，而讓多晶矽使用量降低了50%。另一方面，在進行將晶圓(wafer)由矽錠(ingot)切割而出的製程時，由於切割線(wire)並沒有比矽晶圓本身薄多少，因此常造成許多矽材料在切割缺口處被浪費了。目前開發出的新製程為採用更薄的切割線，或者採用新的切割黏液(Slurry)，甚至採用鍍上金剛石(Diamond)的切割線，用以減少矽的浪費，並讓晶圓切割的更薄。
在薄膜太陽能電池技術的部份，目前技術相當多，由於設備廠商大量的提供ㄧ體到位(TurnKey)的設備，非晶矽(a-Si)廠商大幅擴產的結果已經將全球的產能由2007年的296MW(百萬瓦)提高2009年的1.6GW(10億瓦)，甚至預計2010年將達到3.0GW (10億瓦)。然而，由於多晶矽價格較先前預期的大幅降低，影響到非晶矽(a-Si)的需求，因此目前大部分非晶矽產能處在產能利用率較低的窘境。
當銅銦鎵硒(CIGS)太陽能電池技術被推出時，其目標是希望兼顧相對較高的轉換效率，以及非常低的成本結構；甚至其轉換效率的開發目標是達到結晶系(Crystalline)的水平。然而，這項技術已被證明要量產有ㄧ定的難度。以全球產能來看，銅銦鎵硒(CIGS) 在2009年只占全球太陽能電池產能的3%，而實際量產的能力更是十分有限。在太陽能產業，更高的轉換效率等同於降低成本，無論是薄膜或結晶矽技術，在2010年產業將再次強調提高轉換效率的重要。