力旺ReRAM矽智財，通過聯電40奈米認證

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2021年11月4日 週四 下午3:56·2 分鐘 (閱讀時間)


【財訊快報／記者李純君報導】矽智財供應商力旺電子(3529)與晶圓代工龍頭廠之一的聯電(2303)今日宣布，力旺電子的可變電阻式記憶體(ReRAM)矽智財已成功通過聯電40奈米認證，支援消費性與工業規格之應用。 力旺的ReRAM矽智財於聯電40奈米製程驗證成功，顯示在新興非揮發記憶體技術研發佈局有成，尤其使得力旺成為全球首批提供這種新興記憶體矽智財的公司之一，聯電與力旺將可攜手大搶MCU、PMIC和AIoT市場商機。

力旺技術長林慶源表示：「力旺的ReRAM矽智財目前已於聯電40奈米成功驗證，並繼續將ReRAM的開發延伸至22奈米與更先進製程，方便未來晶片設計者將力旺的ReRAM矽智財整合到產品中。」

「ReRAM矽智財於聯電40nm 1.1V/2.5V超低功耗(ULP)製程的開發以及向下延伸至22奈米ULP製程計劃，成功展現兩家公司對新興記憶體產品未來發展性的信心。」聯電矽智財研發暨設計支援處林子惠處長表示：「與力旺的合作有助於進一步豐富聯電特殊製程技術組合，更預計ReRAM矽智財將可以成功打入重要的新市場。」

ReRAM是一種新興的非揮發記憶體(NVM)技術，具有結構簡單、容易在晶圓代工廠生產並整合至CMOS平台以及滿足高速低功耗運作等諸多優點。力旺的ReRAM可為微控制器和電源管理IC提供代碼儲存(code storage)功能、為低功耗或便攜式物聯網設備中提供查找表(lookup table)，並進一步應用於記憶體內運算(CIM)與人工智慧(AI)等領域。

ReRAM預計將可取代目前在40奈米與更先進製程的傳統嵌入式快閃記憶體(eFlash)，它同時也是BCD與HV等特殊製程的最佳嵌入式NVM解決方案。ReRAM具備許多優於分離閘快閃式記憶體(split-gate flash memory)的優勢，ReRAM 在後端流程中採用低溫製程，與分離閘快閃式記憶體相比，幾乎不需要熱積存(thermal budget)，並且更容易整合至各製程。

力旺與聯電攜手合作的此4Mb ReRAM矽智財技術係從日本松下半導體取得技術授權，具備16Kb資訊區塊、晶片修復、錯誤檢測和糾正等功能，並可支援高達125°C的工作溫度，不僅可用於消費性電子更適用於工業應用領域。