先探投資週刊 │ 2009-12-25文／許美玉
十一月初ＤＲＡＭ價格創下波段高點，進行小波段的整理後，在年底庫存調整近尾聲與農曆春節前的拉貨即將展開下，ＤＲＡＭ與NAND Flash在美光交出亮麗財報後大漲帶動下，再次發動攻勢，且以美光聯盟南科、華亞科、福懋科為攻擊主軸。
ＤＲＡＭ、NAND Flash兩大記憶體是對供需最敏感的產業，供過於求超過三～五％，價格所產生的下殺壓力將相當大，相對的，若供需缺口拉大至三～五％以上，價格就會明顯拉升。
對ＤＲＡＭ產業來說需求難以掌握，但是產能的擴充與製程的微縮則是可以預期的。在一○年資本支出的部分，集邦統計，ＤＲＡＭ廠商的資本支出約七八．五億美元，雖較○九年的四三億美元成長達八○％，但與○七年的資本支出高點二一四億美元相較，則是仍處於低檔估計。
一○年DRAM肯定好
若將資本支出占營收比重做比較，○九年ＤＲＡＭ資本支出占營收比重已降至二一％，降至近五年新低，這將直接影響到明年的產出，而即使二○一○年資本支出成長占營收比重上升至二五．五％，亦在低水位，依然處於療傷年。
以這樣低水位的資本支出，能做的大概只有買微縮技術的設備了，大幅擴充產能的機會不高，由一九三奈米進入六五奈米光源之後，利用曝光機的光線波長降低來微縮製程已經不夠用，必須運用水為介質的浸潤式微影技術來解決。
如果今年第四季訂五○奈米以下的浸潤式微影設備，由交貨到能量產也是明年下半年的事了，所以明年的ＤＲＡＭ供給大概就是眼前所見的量，也因此使得DDR3價格只回檔不到一個月就回升了。
今年初有錢購入設備的廠商現在開始享受成果了，第四季來三星已經開始進入四六奈米生產，DDR3成本只有○．九美元(不含後段)，遠低於其他廠商，至於南科、華亞科在投資五八奈米製程後，成本下降到一．二美元，比七五奈米降低四成。
而台灣ＤＲＡＭ製造商部分，二○一○年只有台塑集團的南科、華亞科還有餘力轉換製程，為了進入五○奈米製程，今年兩公司資本支出合計約二五七～二六七億元，明年合計增加至六四○億元新台幣，其中華亞科占七成。
除設備供應緊俏、資本支出謹慎外，世代交替也讓DRAM價格趨強，預期一○年第一季PC採用DDR3比重將高達六成，正式成為市場主流，下半比重將挑戰八○％以上，在世代交替下，將會使得進入製程推升落後廠商失去競爭力，反之，推進速度穩健的廠商將大大受惠。
而爾必達聯盟在這一次的製程轉換與產品轉換上都明顯落後，也因上述因素，市場預期ＤＲＡＭ產業在一○年第一季將會淡季不淡，第二季將會是全年低點，第三、四季將會緩步上揚，南科、華亞科將是明年ＤＲＡＭ供需吃緊的最大受惠者，後段封裝測試福懋科業績將同步上揚。
NAND Flash應用續推升
其中南亞科今年積極進行製程轉換，從原本奇夢達(Qimonda)的七○奈米製程轉換至美光(Micron)的五○奈米製程，十月上旬結束奇夢達溝槽式製程的投片，目前大量轉進美光的六八奈米，為五○奈米作準備，而首批五○奈米產品已試產成功，至於華亞科明年也會將旗下十三萬片十二吋晶圓廠轉換成五○奈米製程。南科和華亞科會是將是台灣最早轉進五○奈米製程的ＤＲＡＭ廠。
在Nand Flash產業部分，近幾年製程微縮過快，三星四○奈米轉進三○奈米，美光一○年要進入二○奈米製程，在產量大幅增加之下，要靠需求來推升價格，研究機構集邦科技(DRAMeXchange)表示，預期手機、SSD、記憶卡將內建更高容量NAND Flash，一○年全球NAND Flash需求的位元產出將比今年成八一％，將出現缺貨。
預估明年的NAND Flash全年供需缺口將拉升至二％，但季節性因素仍會影響季度的供需缺口，不過價格的波動性將會趨緩，業者獲利將反應製程技術提升的成本下降效益為主。
十二月下旬NAND Flash合約均價大致開平盤，但主流顆粒32Gb以及16Gb MLC合約均價則小跌約一％到五％，預期年底清庫存後，一月份下游客戶才會決定農曆年前的庫存回補需求量，即使NAND Flash供應商的新三Ｘ奈米製程技術及3-bit/cell MLC產出量成長，NAND Flash價格走勢都有機會持穩。
國內與NDNA Flash產業息息相關的都在模組廠商，包括威剛、創見、勁永，ＤＲＡＭ與NDNA Flash的比重調配彈性，是可以與產業共享成長的，此外群聯雖然是控制IC廠商，但是模組的比重也相當高，業績幾乎與NDNA Flash價格同步，而公司目前對於產業的看法已經轉趨正面。
更多精采文章
◎封面故事：台灣面板業大整併
◎產業脈動：全球太陽能股股價籠罩陰霾
◎焦點議題：TDR蜜月期已過？
◎基金導航：新興市場多頭告尾聲？
◎名家開講：中國工業產能過剩問題嚴重