台積電（2330）研發資深處長段孝勤今（7）日在SEMICON 台灣線上論壇提到，台積電在化合物半導體領域專注在氮化鎵（GaN）相關開發，歷經長期的發展氮化鎵已逐漸開始被市場接受，預期未來十年將有延展更多應用 (addressable applications）。

他指出，台積電觀察氮化鎵商機會在五個領域包含快充、資料中心、太陽能電力轉換器、48V DC/DC以及電動車 OBC/轉換器，對於相關應用藍圖並有對應製程設計。

段孝勤提到，台積電過去二十年在功率提升上投入，人們希望使用裝置的耗能越少越好，台積也已在BCD電源管理技術上投入，功率元件自然也是重要關鍵，目前行動裝置所需BCD製程已到0.13第三代，並正在開發90/55/40/22 BCD，車用部分已有0.18第二代BCD與0.13BCD並正開發最高SOI可達100 V的55 BCD 製程。NVM在電源管理應用上，已推出MRAM對應28/22奈米製程等。

段孝勤也展示台積電應對MOSFT的動態與靜態製程特性，協助客戶開發在功耗瓦數上降低與讓產品最終成功。至於台積電觀察有別碳化矽（SiC）應用材料特性，更關注在氮化鎵（GaN）的商機，看好GaN充電特性更快了、更輕薄以及更有效率，效率大於過往三倍，同時在資料中心設計上也是如此。

就新材料開發上，他提到，GaN on Si的挑戰主要是表面的不平整程度考驗。台積電已開發GaN-on-Silicon技術應對功率與RF元件需求，磊晶代工廠也已發展出6吋 GaN-on-Silicon晶圓生產等。