為以滿足資料中心和人工智慧（AI）的需求成長，全球記憶體晶片龍頭三星電子今年稍後將發表新一代記憶體晶片，為七年來首見。該公司表示，這款新晶片的速度將提高一倍，容量也更大。

三星25日表示，已研發出業界首個採用高介電層／金屬閘極（HKMG）製程的512GB DDR5記憶體模組。根據聲明內容，DDR5記憶體速度是目前DDR4的兩倍，能降低漏電功耗，以及省電13%。

三星預期今年下半年將開始改採DDR5。晶片產業預期，英特爾代號為Sapphire Rapids的下一代Xeon Scalable處理器將支援DDR5。彭博報導，除了與全球兩大中央處理器（CPU）製造商英特爾和超微（AMD）合作外，三星已寄送這款新記憶體晶片的樣本，給資料中心平台開發商。

彭博行業研分析師說，一個新DRAM世代將在2021年稍晚或2022年登場，為六至七年來首見。新晶片的速度更快、耗電更少，而且可靠性更高，將在即將到來的AI世紀，提供高效能的運算。

三星DRAM記憶體企業副總裁孫寧洙（音譯）表示，DDR5應用的領域包括醫療研究、金融市場、自駕車、智慧城市等。

分析師預估，DDR5晶片將比DDR4大20％，將加重半導體供應鏈的壓力。三星打算今年開始出貨，並逐步增進製程技術。三星並預期，DDR5最快將在2023年下半年取代DDR4。

集邦科技（TrendForce）副總經理吳雅婷說：「隨著DDR5的滲透率逐漸上升，DRAM短缺情況估計將持續到2022年，我們預期價格最初將上漲30%至40%。」