在2019年，大陸中國科學院研究所殷華湘團隊向外界公佈了團隊的科研成果，稱團隊已順利研發出與人類DNA寬度相等的3奈米電晶體；今年5月26日，北京元芯碳基集成電路研究院宣佈，長期困擾科研進度的碳基半導體材料的設備瓶頸已經解決。從大陸晶片界科研進程來看，這兩大科研團隊所取得的成就對大陸晶片技術的進步具有很強的推動意義。
具體來看，此次研製的碳基半導體與市面上現有的晶片矽材料仍有一定差別。在性能上，碳基半導體所需的研製成本比矽材料更低，相同使用模式下功耗更小，運行效率也更高。
現階段，高性能晶片技術大多被廣泛運用於手機、筆電、電腦等設備中，而碳基半導體的出現將能夠在很大程度上提升設備性能和運行效率，電池的耐用程度和設備續航能力也會極大增強，滿足我們在日常使用過程中對設備高效能的需求。對於一些對性能要求極高的高精尖技術中，碳基半導體更是如虎添翼式的存在。
縱觀全球晶片發展進程我們不難發現，目前以台積電為代表的晶片大廠已可以達到5奈米、3奈米甚至更強級別的技術，而作為大陸最強晶片公司的中芯國際，最主要的研製方向還在7奈米和14奈米水平線。而中科院的研製的3奈米電晶體並不意味著已經解決了3奈米晶片的技術問題，這個3奈米僅代表氧化物薄膜的厚度，可以解決高性能和低功耗電晶體的性能需求，但並不意味著元件採用的是3奈米製程。在晶片技術這一領域，大陸科研團隊還有很長的路要走。