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| 【時報記者沈培華台北報導】DRAM廠南亞科(2408)為建置10奈米試產線，追加資本支出65.6億元，今年資本支出預算以不超過157.6億元為上限，將比去年的55億元低檔大增近1.9倍。 南亞科自主技術發展獲重大突破，日前已宣布成功開發出10奈米級DRAM新型記憶胞技術，第一代產品預計下半年試產。 因應10奈米級製程研發及試產，加上20奈米遞延的資本支出，南亞科董事會於2月26日通過今年資本支出，金額以不超過92億元為上限。為建置10奈米級製程試產線，南亞科5月6日董事會決議新增今年度資本支出預算，金額以不超過65.6億元為上限，全年資本支出預算以不超過157.6億元為上限。 南亞科布局自主技術，三年前即投入10奈米研發，在成功產出第一代產品後，今年1月正式通知美光，將自主研發。這次增加資本支出金額，主要是建置10奈米製程試產線。南亞科今早股價開高後壓回，本周外資連續三個交易日賣超。 |
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