2020-05-06 17:46中央社 新竹6日電


南亞科。 報系資料照

動態隨機存取記憶體（DRAM）廠南亞科董事會今天決議追加新台幣65.6億元資本支出預算，主要因應建置10奈米級製程試產線。

南亞科自主技術發展獲重大突破，成功開發出10奈米級DRAM新型記憶胞技術，第一代產品預計下半年試產。
因應10奈米級製程研發及試產，加上20奈米遞延的資本支出，南亞科董事會於2月26日通過今年度資本支出預算案，金額以不超過92億元為上限。
為建置10奈米級製程試產線，南亞科董事會今天決議新增今年度資本支出預算，金額以不超過65.6億元為上限，南亞科今年資本支出預算以不超過157.6億元為上限。
南亞科DRAM記憶體