020-01-10 23:43經濟日報 記者李孟珊／台北報導

南亞科技總經理李培瑛 本報系資料庫

南亞科總經理李培瑛昨（10）日宣布，已完成自主研發10奈米級DRAM技術，將在今年下半年試產。這是台灣發展記憶體30年大突破，全數記憶體廠都將採用自家技術生產晶片。

這也是台塑集團發展半導體業一大重大成就，南亞科1995年成立以來，首次不再仰賴國外大廠技術授權，採自有技術生產DRAM，也意味台塑集團領軍下，台灣從1990年代開始發展記憶體業大突破，首度擺脫國際大廠授權枷鎖，全數採用國人自主研發的技術生產，未來不用再支付大廠每年上百億元的授權金。

長期以來，台灣DRAM廠技術都從SK海力士、美光、以及已宣告倒閉的日商爾必達與德商奇夢達等取得技術授權，每年支付龐大授權金，且無法獲得技術母廠最先進的製程技術（多落後技術母廠二至三個世代），導致記憶體景氣好時，國際大廠賺飽飽，台廠只能喝湯，景氣谷底時，台廠面臨價格崩跌以及龐大授權金壓力，虧損慘重，茂矽、茂德、力晶等業者更相繼退場。

南亞科現在以20奈米技術為主力，技術來源為美光。隨著南亞科10奈米級製程導入自主技術，意味未來不再仰賴美光授權，每一顆產品都是公司自行開發，擺脫數十年來技術長期依賴國際大廠的狀況，免除動輒上百億元的授權費用，包袱大減。(南亞科今年營運展望樂觀)

在全球記憶體業經歷過去十多年來的洗牌之後，台灣記憶體廠陸續開始採用自家技術生產，旺宏、華邦電已具備自行開發NOR晶片能力；DRAM部分，華邦電在原技術母廠奇夢達倒閉後，也自行開發研發製程，全台灣記憶體廠僅剩南亞科仍與美光合作，透過美光技術授權取得主流製程技術。

李培瑛說，南亞科已成功開發出10奈米級DRAM新型記憶體生產技術，使DRAM產品可持續微縮至少三個世代。第一代的10奈米級前導產品8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5將建構在自主製程技術及產品技術平台，2020下半年後將進入產品試產。

第二代10奈米級製程技術已開始研發階段，預計2022年前導入試產，後續會開發第三代10奈米級製程技術。他強調，南亞科進入10奈米等級製程之後，會以自行研發的技術為主，降低授權費用支出，能大幅提升效能。

因應10奈米製程發展，南亞科今年資本支出金額將高於去年的55億元。李培瑛說，除可改善成本，南亞科成功自主開發10奈米製程技術，將有助掌握朝高密度新產品發展機會與技術進展。