2020-01-09 02:23經濟日報 記者簡永祥／台北報導

鎧俠四日市Fab 6廠失火引發儲存型快閃記憶體（NAND Flash）供應緊張，先前的三星華城廠區跳電，也催化DRAM報價在本季率先上漲。記憶體業表示，二大記憶體價格同漲，產業也進入翻轉向上的正循環。

集邦科技昨（8）日發布最新調查，強調近一個月DRAM現貨價格走勢，已隨去年12月31日三星華城廠區發生跳電起舞，市場明顯感受漲勢已至。

集邦強調，雖然三星跳電事件並未對整體記憶體市場供給造成重大影響，但各產品別買方備貨意願明顯增強。集邦也上修首季DRAM報價走勢，由原先的「大致持平」調整為「小漲」，價格提前翻轉向上。

其中，標準型記憶體首季合約價仍議定中，集邦預估持平甚至小漲可能性高。

行動式記憶體受季節性淡季影響，首季拉貨動能偏弱，預估合約價將下跌5%以內。然而自去年12月中開始，除伺服器記憶體與繪圖用記憶體需求增溫，帶動整體價格走勢提前反轉外，NAND Flash報價也開始走揚。

至於利基型記憶體，由於三星華城廠區Line 13的DRAM生產重心主要為20和25奈利基型記憶體，加上受現貨市場價格上揚的影響最直接，利基型記憶體價格將提早反彈，本季將上漲約5%。