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《半導體》聯電調升今年資本支出至5億美元
2009/07/29 14:52 時報資訊
【時報記者沈培華台北報導】聯電 (2303) 為追求營收持續成長，因應提升高階製程產能所需，該公司調升今年資本支出至5億美元，較原本規畫增加1億美元。
聯電執行長孫世偉表示，該公司獨立研發的40奈米高效能(High Performance)邏輯製程包括SiGe、Laser Anneal、Ultra Low-K等先進技術，已有許多客戶產品進入量產，而45/40奈米低功率(Low Power)技術的良率最佳化也順利進展中。在先進28奈米 HK/MG 製程的發展，聯電採取 Gate-Last 為主之技術，以同時滿足未來客戶高效能及低功率高階技術之需求。
為促進營收持續成長，聯電正式將今年資本支出由4億元調升至5億美元，增幅高達25%，投資於包括65/55奈米，45/40奈米，及28奈米等高階製程產能佈建和先進技術的研發設備。