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台積電40奈米 開始吸金
2009-07-29 工商時報 【涂志豪／台北報導】
張忠謀重掌兵符後，台積電40奈米製程良率再傳好消息。據繪圖卡業者表示，繪圖晶片雙雄英偉達（NVIDIA）及超微（AMD/ATI），已陸續送交40奈米製程晶片，且這兩家晶片大廠透露，台積電月初送交的40奈米製程晶圓，已達可投入量產的良率水準。為了在年底耶誕節旺季時推出新產品搶市，NVIDIA及超微本季已擴大對台積電40奈米投片量。
隨著台積電40奈米製程良率漸獲改善，NVIDIA及超微也開始準備新產品上市事宜。以超微為例，支援DirectX11的40奈米RV870，已傳出將於9月10日舉辦上市前活動；NVIDIA除月底將正式推出40奈米G210、GT220晶片外，也暫定年底會推出GT230及新一代支援DirectX11的GT300晶片。
繪圖卡業者表示，台積電第二季40奈米良率傳出低於30％消息後，的確引起兩家繪圖晶片廠的不滿，但7月初良率據傳已改善至60％。
而根據繪圖晶片廠透露，台積電送交的40奈米製程晶圓，已達可投入量產的良率水準，所以8月後包括NVIDIA及超微等，40奈米的投片將會明顯拉升，以利9月以後的新品上市銷售。
不過，NVIDIA及超微擴大40奈米的投片量，相對上也開始減少65/55奈米的投片。
設備商表示，聯電第二季後獲得兩家大廠的65/55奈米訂單，但8月後隨著40奈米在台積電的投片量拉升，聯電的訂單量也逐步下滑。所幸大客戶如聯發科、賽靈思（Xilinx）等新增訂單補上，才讓聯電的12吋廠利用率維持在滿載水準。
台積電40奈米良率趨於穩定，但聯電本季也將展開40奈米的先期投片。台積電為了拉開與聯電間的技術差距，已著手進行28奈米的先期投片準備工作。
台積電28奈米製程定位為全世代（full node）製程，提供高介電層金屬閘（HKMG）及氮氧化矽（SiON）材料等兩種選擇，預計2010年第一季開始生產，大客戶如超微、NVIDIA、高通（Qualcomm）等，已與台積電進行合作，英特爾委由台積電生產的Atom核心單晶片，也進入最後準備階段。