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記憶體漏電 智原有撇步
【經濟日報╱記者陳碧珠／台北報導】 2009.07.15 02:50 am
智原（3035）昨（14）日發表適用於聯電（2303）90奈米製程的低漏電記憶體解決方案，公司表示，此一解決方案最高可以降低90%以上的漏電率，已開始供應給IC設計公司、晶圓廠、系統廠及IDM等客戶，第三季營收約與上季持平或微幅持平。
智原昨（14）日上漲2.1元，收盤價54元。隨著先進製程的發展，記憶體在晶片內所占面積隨之增加，也擴大與突顯出記憶體對於晶片面積和電源消耗的可能影響。
智原前六月營收23.06億元，比去年同期減1.45%。以季別而言，第二季營收13.78億元，比第一季9.28億元成長48.49%，與先前預期第二季季營收成長五成目標接近，公司將於本月24日舉行第二季法說會，目前對於第三季營收，預計與上季持平或微幅成長。
智原表示，公司推出的低漏電記憶體，除了在待機模式可減少25%的功率漏損，並透過在單元陣列和周邊配置兩組嵌入式HVT功率選通MOS的設計，讓晶片得以在保留與休眠模式下，分別可降低50%及99%的功率漏損，由於新增的HVT功率MOS，是填充在記憶體的空隙中，對於晶片面積沒有造成任何的影響。