晶圓代工廠聯電今日宣布，其自主研發的14奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程技術，已成功進入客戶晶片量產階段。出貨給主要客戶的14奈米量產晶圓，良率已達先進製程的業界競爭水準。
聯電執行長顏博文表示，此次14奈米量產，是聯電與客戶攜手努力的成果，同時，與其他客戶的合作也在順利進行中，將持續優化此製程，發揮14奈米FinFET在效能、功耗和閘密度的優勢。
聯電指出，其14奈米 FinFET製程速度較28奈米增快55％，閘密度則達兩倍，功耗亦較28奈米減少約50％。14奈米客戶晶片現正於台南Fab 12A晶圓廠生產中，未來將因應客戶需求，穩步擴充14奈米產能。