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三星衝刺PCM 旺宏沾光
【經濟日報╱記者何易霖／台北報導】 2009.06.25 04:57 am

三星明年將推PCM相容產品，在台灣業者中，旺宏已投入PCM領域多年，累積多項關鍵專利，將同步沾光。圖為旺宏董事長吳敏求。
（本報系資料庫）
記憶體龍頭三星昨（24）日宣布，最快年底制訂相變化記憶體（PCM）共同規格，明年推出相容產品，引爆PCM取代既有Flash製程商機。台灣業者中，旺宏（2337）投入PCM領域多年，累積多項關鍵專利，將同步沾光。
業者指出，PCM是解決Flash現有製程微縮物理極限的最佳方案，可讓Flash速度加快500倍，且耗電量低於傳統的Nor、NAND Flash，隨三星加快PCM啟動腳步，意味Flash技術將邁入新紀元，現有晶片製造業者都必須重新獲得技術IP等授權，以Flash已導入3C領域來看，一旦技術大轉換，擁有專利業者潛在的技術授權商機值得期待。
在台灣業者中，旺宏已投入PCM領域多年，並與IBM等合作，累積多項關鍵專利，是國際間PCM技術擁有者之一。
旺宏昨天表示，旺宏持續與IBM研發PCM技術，也對後續商機相當期待。
旺宏本季Nor Flash接單超乎預期，帶動產能利用率本月衝上滿載，配合製程提升降低成本策略，正積極尋覓12吋晶圓產能。
根據三星規劃，將與由英特爾與義法半導體合資的恆憶（Numonyx）聯手制訂PCM新規格，最快今年底前敲定，並在明年推出相容產品問世。
記憶體業者指出，現有Flash技術已面臨物理極限，以Nor Flash為例，在製程微縮至65奈米後，便會受限物理特性，無法藉製程微縮達到成本效益，但透過相變化記憶體技術，將可突破既有技術的瓶頸限制。換句話說，相變化記憶體技術將是下一世代Nor Flash的最佳替代品。
新聞辭典／PCM 相變化記憶體（Phase Change Memory；PCM）是利用特殊「相變化材料」的一種新興記憶體技術。具有非揮發性、速度快、高容量、低耗能、謮寫次數高等優點。
相變化記憶體兼具快閃記憶體的長時間儲存功能，但更省電，可取代數位相機、MP3或手機儲存資料的快閃記憶體，也具取代磁碟機架勢，有「萬用記憶體」之喻。