SST推130nm BCD＋NVM模組化平台產品
2016年07月13日 12:33
【時報記者施蒔穎台北報導】
美商Microchip Technology Inc.日前透過其子公司Silicon Storage Technology（SST）宣布推出130nm BCD+NVM模組化平台產品，適用於各類要求苛刻的電池供電應用，包括無人機、智慧馬達控制、以及正常關閉行動運算等。
SST宣布推出已通過驗證的、基於GLOBALFOUNDRIES 130nm BCDLite技術平台的、SST低光罩數嵌入式SuperFlash非揮發性記憶體（NVM）產品。
僅僅只需四個罩照步驟(masking steps)即可將SST嵌入式SuperFlash儲存解決方案和GLOBALFOUNDRIES的BCDLite技術結合在一起，為電源、微控制器（MCU）提供一款高成本效益、高耐用性的嵌入式快閃記憶體解決方案。
在諸如電池充電（5V-30V）等高容量電源應用領域，GLOBALFOUNDRIES 130nm BCDLite平台與SST SuperFlash嵌入式儲存功能的搭配將實現先進的電池監測功能，準確測量出電池的年齡和健康度。
SST全球市場行銷及業務開發總監Vipin Tiwari表示：「低光罩數嵌入式SuperFlash技術與先進130nm BCDLite製程的結合，開闢了產品全新的應用潛力，尤其是對於電源管理市場而言，令人倍感振奮。」
(時報資訊)