聯電 (2303) 今天(29日)與日本富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)共同宣布，聯電將投資50億日圓作為初期投資，取得富士通新成立的子公司約9.3%股份，這項合作案將使聯電在亞洲擁有第3座12吋晶圓廠。
富士通新成立的這一家子公司，將包含富士通於日本三重縣桑名市(Kuwana， Mie)的12吋晶圓廠，聯電將授權40奈米先進技術予富士通，結合富士通的低功耗製程與嵌入式記憶體技術，與聯電晶圓專工專業和先進製程技術。
聯華電子執行長顏博文表示，與富士通結盟，不僅減少建立新晶圓廠的時間、風險、成本，同時也可在聯電擁有的台灣與新加坡12吋晶圓廠之外，再添另1座12吋晶圓廠產能來源。
顏博文表示，3座遍及亞洲不同地區的12吋晶圓廠，可使2家公司都能取得服務客戶時的獨特優勢，滿足客戶希望降低製造風險的需求，像是日本的車用晶片製造商，這些高度要求供應商需具備健全營運持續計畫的客戶。
顏博文還說，聯電也能藉由與富士通的策略結盟，在日本市場獲得新的晶圓專工業務。
富士通半導體總裁岡田晴基表示，一直在尋找可將三重縣12吋晶圓廠共同運作為新晶圓專工公司的夥伴，富士通與聯電已達成結盟協議。2家公司已建立良好夥伴關係，此次雙方結盟必將有豐碩的成果。擁有廣泛多樣化的CMOS技術，專精的製程研發與移轉能力。
聯電將授權40奈米低耗電技術予富士通，增加該合資公司所提供的製程選擇，並提供資本以擴充其40奈米產能。
目前在富士通三重縣晶圓廠生產中的產品，將會由新公司製造並出貨給包含富士通在內的客戶。