太 陽電 池 的 製 造
為了介紹太陽能電池的製造技術，我們先由最簡單的流程，即單晶矽太陽電池的製造技術談起。製程步驟則如以下所示：
拉晶：主要的原料為二氧化矽，利用晶種在拉晶爐中成長出一單晶矽碇。
修角：一般微電子產業所用的晶圓(wafer)，是直接把單晶矽碇切片而成，但對於太陽電池而言，通常必須把許多晶片串聯成一方形陣，為了陣列排列的更緊密，大部分都先將單晶矽碇修角成四方形。
切片：用切片機將單晶矽碇切成厚度約0.5毫米的晶圓。
蝕刻及拋光：蝕刻的目的是去除在切片過程中所造成的應力層。拋光的目的是要降低微粒(particle)附著在晶圓上的可能性。
清洗：用去離子水(DI water)把晶圓表面的雜質污染物去除。
擴散：一般太陽電池均採用p型的基板，利用高溫熱擴散的處理，使p型的基板上形成一層薄薄的n型半導體。
網印或蒸鍍：將製作完成的晶圓，用銀膠印刷或是用蒸鍍的方法，在晶圓的表面接出導電電極，如此即可完成一個簡單的太陽電池。
而要如何製造才能提昇太陽電池的轉換效率，一直是學術界努力的目標。主要的做法可從下列幾 個方向著手：
將電極作成手指狀(Finger)，以增加入射光的面積(圖一)。
將表面製成金字塔型的組織(Pyramid Texture)結構，並加入抗反射層，以減少光的反射量。
將金屬電極埋入基板中，以減少串聯電阻。(圖二)
因金屬與矽的接合處，有大量的缺陷，此易造成逆向飽和電流降低效率，因此製成PERL(Passivated-Emitter ,Rear Locally-diffused)，減少實際電極與矽的接觸面積。(圖三)
點接觸式太陽電池(Point Contact Cells) (圖四)，此電池的特點為電極均做在同一面，如此可增加入射光的面積，且易於焊線。
目前實驗室所製造出的太陽電池，其轉換效率幾乎可以達到最佳的水準，只可惜他們的製造過程多半過於複雜，量產不易。