【時報記者林資傑台北報導】SEMI國際半導體產業協會於今（24）日公布最新全球晶圓廠預測報告（World Fab Forecast），指出晶片需求上升帶動全球半導體晶圓廠產能持續成長，2024年及2025年預計將各增加6％及7％，使月產能達3370萬片約當8吋晶圓、創歷史新高。 SEMI指出，5奈米以下先進製程在數據中心訓練、推論和生成式AI技術推波助瀾下，2024年產能可望成長13％。而為提高晶片能效，英特爾、三星和台積電等晶片大廠準備2025年起生產2奈米全環繞柵極（GAA）晶片，將使2025年先進製程總產能成長達17％。 以主要地區產能變化觀察，SEMI在報告中表示，中國大陸晶圓廠產能可望維持雙位數成長，預計2024年成長15％至每月885萬片，2025年再成長14％至每月1010萬片，幾乎占業界總量3分之1。 儘管存在過度擴張的潛在風險，為紓緩近期出口管制帶來的影響及其他原因，中國大陸仍積極投資推動擴產，包括華虹集團、晶合集成、芯恩和中芯等晶圓代工大廠及DRAM製造商長鑫存儲均持續加強投資力道，提升中國大陸半導體產能。 其他地區至2025年的產能成長預估均不超過5％。台灣以每月580萬片、年增4％位居第二，南韓今年每月突破500萬片後，明年可望成長7％至540萬片。日本、美洲、歐洲與中東及東南亞則分別為每月470萬、320萬、270萬和180萬片，年增3％、5％、4％及4％。 以主要產業別產能變化觀察，SEMI指出，受惠英特爾（Intel）設立晶圓代工服務（IFS）及中國大陸產能擴張，晶圓代工部門2024年產能將成長11％、2025年亦將續增10％，預計至2026年每月產能將達1270萬片規模。 另外，隨著人工智慧（AI）伺服器對算力需求快速成長，一併帶動高頻寬記憶體（HBM）需求，為記憶體部門帶來許久未見的成長動能，DRAM產能今明2年均可望成長9％。相較之下，3D NAND市場復甦較緩慢，今年產能估持平、明年則預期成長5％。 在邊緣裝置AI應用興起影響下，主流智慧型手機DRAM容量將從8GB增至12GB，而配備AI助理的筆電則有至少16GB DRAM的需求，SEMI預期AI應用拓展至邊緣裝置，可望進一步帶動DRAM需求往上爬升。 SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸分析，從雲端運算到各種邊緣裝置，AI處理無所不在，讓高速（HPC）晶片開發競逐更加白熱化，帶動全球半導體製造產能強勁擴張，可說創造了正向循環。而AI加速各式應用中半導體的成長，將激勵進一步投資。