暴衝小綿羊 發達集團監事
來源:財經刊物   發佈於 2016-03-21 02:08

陸自建12吋DRAM廠 台廠警戒

陸自建12吋DRAM廠 台廠警戒
圖/經濟日報提供
分享大陸記憶體業新秀武漢新芯下周一(28日)將舉行旗下首座12吋DRAM廠建廠動工儀式。武漢新芯挾官方資金與國家集成電路產業發展基金(大基金)支持,要向全球宣示大陸建立自主記憶體技術與製造的決心。
這是繼紫光集團進軍記憶體領域、醞釀收購多家國際大廠之後,大陸於記憶體領域又一次大動作布局。武漢新芯此次12吋DRAM廠建廠,是大陸首度憑藉自有資金的記憶體晶片建廠案,牽動全球記憶體版塊移動,引起業界高度關注 。
業界指出,先前大陸業者進軍LED、面板、觸控等產業,挾官方撐腰下大舉擴產,使得這些產業都陷入殺價競爭、供過於求的窘境。
武漢新芯進軍DRAM產業,大舉建廠,加上紫光和合肥市政府後續也都有意在大陸蓋DRAM廠,反映大陸力攻記憶體的旺盛企圖心,是否會讓DRAM產業重蹈LED、面板、觸控的覆轍, 使市場陷入紅海,乃至威脅南亞科、華邦等台灣廠商,都不容小覷。
據悉,武漢新芯也曾爭取與三星、SK海力士及美光等大廠技術合作,但未獲同意,武漢新芯因而改採自主研發與蓋廠方式進行。
DRAM專業研調機構集邦科技表示,武漢新芯成立於2006年,是湖北省與武漢市的重大戰略投資項目,先前曾與大陸晶圓代工龍頭中芯國際一起營運中芯旗下的一座12吋廠。隨著中芯2013年退出合作,武漢新芯正式獨立為單一公司,由武漢市政府負責,經營團隊多具備國際半導體公司歷練背景。
集邦彙整的資料顯示,武漢新芯仍持續主導從中芯手中接下的12吋廠生產,目前主要以編碼型快閃記憶體(NOR Flash)為主,並進軍3D NAND晶片技術研發,未來將匯集DRAM、3D NAND與NOR技術,並且打造二座以上12吋晶圓廠的中國記憶體晶片製造基地。
武漢新芯後來並獲得大陸國家集成電路產業發展基金(大基金)支持。在大基金總經理丁文武領軍下,中芯、湖北省科技投資集團、湖北基金、華芯投資等都參與投資武漢新芯,甚至表示將籌資240億美元,長期建立月產能高達30萬片的12吋廠,生產DRAM、NAND Flash等關鍵記憶體產品。

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