半導體》【時報記者葉時安台北報導】微矽電子-創(8162)周四以每股35元正式掛牌上市，15分鐘衝上48.50元、漲幅達38.57%，目前漲幅仍達3成以上。微矽電子董事長張秉堂表示，隨著節能趨勢成形，各家積極投入氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)等第三代半導體解決方案，公司為滿足客戶需求，也啟動擴產計畫，新建廠房預計第二季無塵室就會完工並進駐機台，貢獻下半年營運。　張秉堂董事長進一步表示，公司在2014年即切入氮化鎵(GaN)晶圓測試領域，具有多年氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)晶圓測試領域之開發經驗，其中氮化鎵(GaN)亦與國內外多家晶圓廠與IC設計公司合作開發測試，並已累積相當的銷售實績，對於氮化鎵(GaN)的材料特性與元件特性，可以充分掌握，未來隨著終端產品對氮化鎵(GaN)的需求成長，公司可快速導入量產，帶動未來成長契機。　此外，未來隨著車用市場對碳化矽(SiC)之功率元件需求提升，公司亦可藉由多年與碳化矽(SiC)客戶長期合作，累積開發驗證與量產經驗，取得國際車用大廠之認證，藉此跨入高規格車用市場領域，成為帶動未來營收成長之另一契機。　微矽電子加工服務之主力產品為功率半導體(Power Semiconductor)中的MOSFET、氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)與電源管理IC(PMIC)，這些產品都與提升電源效率及節能息息相關，完美契合當前ESG的發展潮流。隨著節能意識抬頭，功率半導體需求成長，微矽電子將可望長期受惠，未來發展可期。